本文摘要：在功率电子（例如驱动技术）中，IGBT常常用于低电压和低电流电源。这些功率晶体管由电压掌控，其主要损耗产生于电源期间。 为了仅次于程度增大开关损耗，拒绝不具备较短的开关时间。然而，较慢电源同时说明了着高压瞬变的危险性，这可能会影响甚至损毁处理器逻辑。因此，为IGBT获取适合栅极信号的栅极驱动器，还继续执行获取短路维护并影响电源速度的功能。 然而，在自由选择栅极驱动器时，某些特性至关重要。图1.隔绝式栅极驱动器ADuM4135的修改原理图。

在功率电子（例如驱动技术）中，IGBT常常用于低电压和低电流电源。这些功率晶体管由电压掌控，其主要损耗产生于电源期间。

为了仅次于程度增大开关损耗，拒绝不具备较短的开关时间。然而，较慢电源同时说明了着高压瞬变的危险性，这可能会影响甚至损毁处理器逻辑。因此，为IGBT获取适合栅极信号的栅极驱动器，还继续执行获取短路维护并影响电源速度的功能。

然而，在自由选择栅极驱动器时，某些特性至关重要。图1.隔绝式栅极驱动器ADuM4135的修改原理图。

电流驱动能力在电源期间，晶体管不会正处于同时产生了高电压和低电流的状态。根据欧姆定律，这将造成一定的损耗，明确各不相同这些状态的持续时间（参看图2）。目标是要仅次于程度地增大这些时间段。此处的主要影响因素是晶体管的栅极电容，为构建电源必需对其展开电池/静电。

较高的瞬态电流不会加快此过程。图2.晶体管各个损耗分量的修改回应。因此，需要在更加长时间内获取更高栅极电流的驱动器对开关损耗更加能起着大力起到。例如，ADI公司的ADuM4135可以获取高达4A的电流。

根据IGBT的有所不同，这可能会使开关时间正处于较小的几ns范围内。时序开关时间最小化的决定性因素是输入上升时间(tR)、下降时间(tF)和传播延后(tD)。

传播延后定义为输出沿抵达输入所需的时间，并各不相同驱动器输入电流和输入阻抗。传播延后一般来说预示脉冲宽度杂讯(PWD)，其为下降沿时延和上升沿时延之间的差值。

因为驱动器一般来说具备多个输入地下通道，尽管使用完全相同的输出驱动，但仍不会具备有所不同的响应时间，因此不会产生小的可选偏置，即传播延后斜向(tSKEW)。图3.具备多个输入的栅极驱动器的时序不道德。

图4.具备多个输入的栅极驱动器的非常简单原理图。隔绝耐受性电压在电力电子中，出于功能和安全性考虑到必须展开隔绝。

由于使用了栅极驱动器（例如在驱动技术中使用半桥流形形式），因此不会与低总线电压和电流认识，隔绝不可避免。功能方面的原因是功率级的驱动一般来说再次发生在高压电路中，因此无法驱动半桥流形的高端电源，因为低端电源同时关上时，它的电位较高。同时，隔绝代表在再次发生故障时高压部分与控制电路的可信隔绝，从而可以展开人为认识。

隔绝式栅极驱动器的介电强度一般来说为5kV(rms)/min[LZ1]或更高。抗扰度险恶的工业环境拒绝应用于对干扰源具备最佳抗扰度或抗干扰性。

例如，RF噪声、共模瞬变和阻碍磁场是关键性因素，因为它们可以耦合到栅极驱动器中，并且不会鼓舞功率级，使其在不期望的时间内展开电源。隔绝式栅极驱动器的共模瞬变抗扰度(CMTI)定义了诱导输出和输入之间共模瞬变的能力。

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